次世代電子デバイス教育研究開発拠点

葛原正明[福井大学工学研究科(電気電子工学専攻)･教授]

H. Makino, N. Ishikawa, K. Shiojima and M. Kuzuhara, "Theoretical Investigation of GaN-Based Diodes with a Recessed Composite Schottky-Barrier Structure", Jpn. J. Appl. Phys., 48, 04C103 (2009)．
H.Chikaoka, Y. Takakuwa, K. Shiojima and M. Kuzuhara, "Simulation of tunneling contact resistivity in non-polar AlGaN/GaN Heterostructures", IEICE Trans. Electron. E92-C, pp.691-695 (2009)．
Y. Fukushima, K. Ogisu, M. Kuzuhara and K. Shiojima, "I-V and C-V characteristics of rare-earth metal / p-GaN Schottky contacts", Phys. Stat. Solidi C, 52, pp.S856-S859 (2009).
Kazuki Kodama, Masaaki Kuzuhara, “Theoretical Simulation of DC and RF Performance for AlInN/InGaN/AlInN Double Heterojunction FET Using Monte Carlo Approach,” IEICE Electronics Express, vol.5, No.24, pp. 1074-1079 (2008)
M. Nagamori, S. Ito, H. Saito, K. Shiojima, S. Yamada, N. Shibata, M. Kuzuhara, “Optimum Rapid Thermal Activation of Mg-doped p-type GaN,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.47, No.4, pp.2865-2867 (2008)
葛原正明，“窒化物半導体トランジスタへの期待と将来展望,” 電子情報通信学会論文誌，Vol.J90-C，No.12，pp.960-966 (2007)．
小林功郎，葛原正明，“高速情報ネットワーク時代を支える光・ワイヤレス通信用デバイスの現状と展望,” 電子情報通信学会誌，Vol.50，No.5，pp.376-381 (2007)．

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