平成２１年度　実績報告書

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教育研究プラットフォームIDER研究成果/IDERユニット様式 4 3.平成 21 年度 研究 実績 提案した研究内容に関連した研究業績(学術論文、学会発表、受賞、特許、その他)についてリストにして記 載してください。 記入欄に収まらない場合は別紙に記載し最終ページに追加してください。 学術論文 1. H. Tsuji, Y. Kamakura, and K. Taniguchi, "Simple Extraction Method of Interface Trap Density in Thin - Film Transistors," J. Electrochem. Soc. vol.156, pp.H430 - H433 (April 2009). 2. H. Tsuji, Y. Kamakura, and K. Taniguchi, "Drain current model for thin - film transistors with interface trap states," J. Appl. Phys. vol.107, pp.034502 - 1 - 5 (February 2010). 3. Nao Terasaki , Noritaka Yamamoto, Mineyuki Hattori, Nobutaka Tanigaki, Takashi Hiraga, Kohsuke Ito, Masae Konno, Masako Iwai, Yasunori Inoue, Shigeyasu Uno, Kazuo Nakazato “Photo - sensor based on an FET utilizing a bio - component of photosystem I for use in imaging devic es”, Langmuir, 25(19), 11969 - 11974, 2009 . 学会発表 1. T. Okai, K. Kodama, and M. Kuzuhara, “AlGaN/GaN Heterojunction Diodes with Low Turn - on and High Breakdown Voltages,’’ TWHM 2009, pp. 22 - 23, August 2009. 2. H. Tsuji, Y. Kamakura, K. Taniguchi, "Drain Current Mod el of Polycrystalline Silicon Thin - Film Transistors Including Influence of Interface Traps," 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Japan, Sep. 1 - 3, 2009. 3. T. Matsumoto, M. Yamada, H. Tsuji, S. Imai, S. Terakawa, and H. Ko bayashi, "Stacked Gate Oxide in Thin Film Transistors (TFTs) Formed by the Nitric Acid Oxidation of Si (NAOS) Method," 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Japan, Sep. 1 - 3, 2009. 4. Hirokazu Matsumoto, Junichi Tsukada, Hir oaki Ozawa, Shigeyasu Uno, Kazuo Nakazato, Nao Terasaki, Noritaka Yamamoto, Takashi Hiraga,Masako Iwai, Masae Konno, Kohsuke Ito, Yasunori Inoue “Integrated Bio - Photosensor Array with CMOS Cascade Source - Drain Follower”, International Conference on Solid S tate Devices and Materials (SSDM2009), Sendai, Japan (October 7 - 9 2009), J - 8 - 5. 5. 辻 博史 , 鎌倉 良成 , 谷口 研二 , " 界面準位を考慮した多結晶シリコン薄膜トランジスタのド レイン電流モデル ," 薄膜材料デバイス研究会第 6 回研究集会 , 京都 , 2009 年 11 月 2 日 - 3 日 . 6. 林 淳一 , 辻 博史 , 鎌倉 良成 , 中辻 広志 , 藤原 正弘 , 北角 英人,谷口研二 , " チャージポン ピング法を用いた 2 重ゲート poly - Si 薄膜 p - i - n ダ イオードのトラップ評価 ," 薄膜材料デバイ ス研究会第 6 回研究集会 , 京都 , 2009 年 11 月 2 日 - 3 日 . 7. 辻 博史 , 鎌倉 良成 , 谷口 研二 , " 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電 流モデル ," 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第 116 回研究集会 , 東京 , 2009 年 11 月 12 日 - 13 日 . 8. 辻 博史 , 葛岡 毅,岸田 悠治,清水 由幸,桐原 正治,鎌倉 良成,森藤正人,清水 喜輝, 宮野 壮一郎,谷口 研二, " 多結晶シリコン薄膜トランジスタのドレイン電流モデル ," 第 57 回応用物理学関係 連合講演会, 18p - B - 3, 神奈川, 2010 年 3 月 17 日 - 20 日 . 9. 太田 俊史 , 林 淳一 , 辻 博史 , 鎌倉 良成 , 谷口 研二 , "Poly - Si TFT のターンオン過渡特性 の評価とモデリング ," 第 57 回応用物理学関係連合講演会, 18p - D - 17, 神奈川, 2010 年 3 月 17 日 - 20 日 . 受賞 1. 三成英樹 , 森 伸也 , 「 シリコンナノワイヤにおけるフルバンド 3 次元 NEGF シミュレーショ ン」 第 26 回( 2009 年春季)応用物理学会講演奨励賞 . 2. 沼田達宏 , 宇野重康,中里和郎,鎌倉良成,森 伸也 ,「 円筒 G AA - MOSFET における弾道輸 送 I - V 特性コンパクトモデル 」 第 27 回( 2009 年秋季)応用物理学会講演奨励賞 . 3. 辻 博史 , 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞 (2010 年 3 月 ) . 69

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