平成２１年度　実績報告書

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教育研究プラットフォームIDER研究成果/IDERユニット様式42-補.研究内容を示す図表を貼付してください。3.平成21年度研究実績提案した研究内容に関連した研究業績(学術論文、学会発表、受賞、特許、その他)についてリストにして記載してください。記入欄に収まらない場合は別紙に記載し最終ページに追加してください。【学術論文】1.F. Kawamura, M. Tanpo, N. Miyoshi, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y.Kitaoka, and T. Sasaki, “Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction,”Journalof CrystalGrowth,vol.311, pp.3019-3024 (2009).2.F. Kawamura,M. Morishita, N. Miyoshi, M. Imade, M. Yoshimura, Y.Kitaoka, Y. Mori, and T. Sasaki, “Study of the metastable region in the growth of GaN using the Na flux method,”Journalof CrystalGrowth,vol.311, pp.4647-4651 (2009).3.Y. Mori, Y. Kitaoka, M. Imade, F. Kawamura, N. Miyoshi, M. Yoshimura, and T. Sasaki, PhysicaStatus Solidi C (2010)in press.4.H. Chikaoka, Y. Takakuwa, K. Shiojima, and M. Kuzuhara, “Simulation of tunneling contact resistivity in non-polar AlGaN/GaN heterostructures,”IEICE Transactions of Electronics,vol.E92C, pp.691-695 (2009).5.N. Komatsu, K. Masumoto, H. Aoki, C. Kimura, and T. Sugino, “Characterization of Si-added aluminum oxide (AlSiO) films for power devices,”Applied Surface Science,vol.256,pp.1803-1806 (2010).【国際会議(招待講演)】6.Y. Mori, Y. Kitaoka, M. Imade, F. Kawamura, N. Miyoshi, M. Yoshimura, and T. Sasaki, “Growth of GaN crystalsby Na flux LPEmethod,”8thInternational Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), ICC Jeju, Korea, 18-23 Oct. 2009.【会議報告・解説】7.渡邊史直,矢船憲成,永森基,近岡大成,作野圭一,葛原正明,信学技報, “AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成,”vol.109,no.288, ED2009-154, pp.125-128(2009).8.森勇介,北岡康夫,川村史朗,今出完,吉村政志,佐々木孝友,“NaフラックスLPE法による高品質GaN結晶育成技術,”次世代パワー半導体,pp.99-109, エヌ・ティー・エス(2009.10).今井近岡(福井大)ノーマリーオフ高周波パワーデバイス吉村・今出他極低転位・無極性GaN基板成長石川緑色レーザ表面構造解析木村他絶縁膜の検討毎田欠陥評価IDER連携体制電子デバイス応用光デバイス応用図1.AlGaNチャネルHEMTのID-VDS特性(左)室温動作(右)300℃動作Drain Voltage VDS[V]264810121401618706050403020100I tnerruC niarDD[Am]VGS=2V=1V=0V809020100=-2V=-3V300℃LG= 3µmWG=515µm=-1VDrain Voltage VDS[V]264810121401618706050403020100I tnerruC niarDD[Am]VGS=2V=1V=0V809020100=-2V=-3V=-4VRTLG= 3µmWG=515µm=-1VDrain Voltage VDS[V]264810121401618706050403020100I tnerruC niarDD[Am]VGS=2V=1V=0V809020100=-2V=-3V300℃LG= 3µmWG=515µm=-1VDrain Voltage VDS[V]264810121401618706050403020100I tnerruC niarDD[Am]VGS=2V=1V=0V809020100=-2V=-3V=-4VRTLG= 3µmWG=515µm=-1V図2.無極性GaN基板上へのLPE成長とXRC半値幅の変化-50000050000100000-4000-2000020004000-4000-2000020004000cma500μmmacSeedarcsec29,000LPE測定不能LPEarcsec94Seedarcsec1,548LPEarcsec141Seedarcsec1,240as-grown表面twist成分tilt成分m面基板a面基板Seedarcsec732LPEarcsec1,807-20000-1000001000020000m(10-10)m(10-10)a(11-20)a(11-20)61

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